公司动态_杭州九朋新材料有限责任公司

氧化铝复合磨粒对硬盘NiP/Al基板CMP的研究氧化铝复合磨粒对硬盘NiP/Al基板CMP的研究麻鹏飞，张萍，蒋春东，吴疆摘要：在A1203表面改性的基础上，制备了以氧化铝、水、双氧水、氢氧化钠溶液为主要成分的抛光液，研究了计算机NiP/AI硬盘盘基片的化学机械抛...

11-182019

固结磨料抛光垫的制备与抛光应用研究固结磨料抛光垫的制备与抛光应用研究发表时间：2019-11-18 16:14作者：九朋新材料固结磨料抛光垫的制备与抛光应用研究摘要化学机械抛光（CMP）是目前半导体制造中唯一能够实现全局平坦化的加工技术，它广泛应用...

11-182019

纳米氧化铈、氧化铝/氧化硅复合粒子的制备及其抛光性能的研究纳米氧化铈、氧化铝/氧化硅复合粒子的制备及其抛光性能的研究 ============================= 发表时间：2019-11-18 16:14作者：九朋新材料纳米氧化铈、氧化铝/氧化硅复合粒子的制备及其抛光性能的研究摘要本文采...

11-182019

抛光氧化铝CY-L200在摩擦材料中的应用抛光氧化铝CY-L200在摩擦材料中的应用 ===================== 发表时间：2019-11-18 16:14 抛光氧化铝CY-L200在摩擦材料中的应用徐仁泉1 周纪冬1 陈旭晔2 王海东3 随着无石棉摩擦材料的迅速发展，新一代陶瓷型摩擦...

11-182019

纳米氧化铝晶粒改性及分散的研究纳米氧化铝晶粒改性及分散的研究 =============== 发表时间：2019-11-18 16:14作者：九朋新材料纳米氧化铝晶粒改性及分散的研究摘要纳米氧化铝具有很多优良的性质，如高硬度、高强度、耐高温、耐磨损、耐腐蚀等，...

11-182019

单晶SiC基片超精密磨粒加工机理研究单晶SiC基片超精密磨粒加工机理研究 ================== 发表时间：2019-11-18 16:14作者：九朋新材料单晶SiC基片超精密磨粒加工机理研究摘要以集成电路(IC)和光电子器件制造为代表的微电子和光电子制造是电子信...

11-182019

氮化镓晶片的CMP技术现状与趋势氮化镓晶片的CMP技术现状与趋势摘要：综述了半导体材料氮化镓(GaN)抛光技术的发展，介绍了GaN晶片化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization，CMP)技术的研究现状，分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响...

11-182019

超大规模集成电路中钨插塞的化学机械抛光机理超大规模集成电路中钨插塞的化学机械抛光机理摘要 CMP 在半导体集成电路中是非常重要工艺,化学机械研磨同样是一个新型的工艺，在半导体生产的过程中起着举足轻重的作用,集成电路的前缘技术就是在低 k 介质材料基础...

11-182019

半导体激光器芯片减薄、抛光工艺研究半导体激光器芯片减薄、抛光工艺研究摘要目前在砷化镓半导体激光器的制备中，需要将衬底减薄到一定程度，衬底存在电阻，会产生发热现象，减薄后的衬底背面存在表面损伤层，导致减薄后的外延片变形且容易碎裂，从而...

11-182019

半导体激光器芯片减薄、抛光工艺的思考半导体激光器芯片减薄、抛光工艺的思考发表时间：2019-11-18 16:14作者：九朋新材料摘要：在半导体激光器芯片加工方面，采用传统的芯片减薄和抛光技术难以满足芯片加工要求。基于这种情况，文章提出采用摇摆式垂直...

11-182019

半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究 =================== 发表时间：2019-11-18 16:14 半导体硅片双面超精密抛光的研究摘要：为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率，在分析双抛工艺过程基础上，采用自制大粒...

11-182019

半导体材料低温无磨料超光滑表面抛光分析的研究半导体材料低温无磨料超光滑表面抛光分析的研究 ====================== 发表时间：2019-11-18 16:14作者：九朋新材料半导体材料低温无磨料超光滑表面抛光分析的研究摘要本文结合国家自然科学基金项目埃及超光滑...

11-182019