纳米硅溶胶精抛液---有效解决硅片表面颗粒缺陷

硅片是广泛应用于半导体和光学器件行业的衬底材料，在半导体器件制造过程中，化学机械抛光(CMP)是唯一可以实现硅片全局和局部平坦化的关键技术。硅片的化学机械抛光(CMP)过程通常分为三步：粗抛、中抛和精抛；其中，精抛是硅片化学机械抛光的最后一步抛光，也是各项参数要求极高的一步抛光。

硅片在精抛后通常要求具有极低的表面颗粒缺陷，否则将会影响后续的离子注入等工序。针对这一问题，开发出一款能够大幅降低化学机械抛光后硅片表面颗粒缺陷的精抛液显得尤为重要。

为了进一步提高化学机械抛光的效果，九朋提供了一种能够有效降低硅片表面颗粒缺陷的纳米硅溶胶精抛液CY-L10B，纳米硅溶胶精抛液进行CMP能够使硅片在抛光后满足具有极低表面颗粒缺陷的技术效果。

• 一通过对配方的优选，加入PH调节剂使精抛液呈强碱性，进一步提高了硅的去除速率，修复粗抛、中抛后硅片表面的凹坑或凸起，降低精抛后因去除速率不足导致的颗粒缺陷；
  
• 二是通过加入大分子聚合物，改变硅片表面特性，提高硅片表面亲水性，防止化学机械抛光后磨料颗粒对硅片表面的附着，降低硅片表面的颗粒沾污，降低硅片表面的颗粒缺陷；
  
• 三是通过加入具有分散、润湿作用的表面活性剂，利用其在纳米硅溶胶(磨料)颗粒表面的包裹作用，降低纳米硅溶胶在硅片表面的吸附沾污。
  

纳米硅溶胶CY-S10B为纳米氧化硅在水中的分散液，为了满足半导体精密抛光行业要求，我们利用特殊工艺生产高纯度电子级的10纳米硅溶胶，粒度分布均匀，晶型完整，纯度高于99.999%，抛光精度Ra<0.1nm、TTV<3μm，适用于35℃以下的低温抛光工艺，其颗粒形貌、浓度、分散介质、PH等均可调节。

浙江九朋新材料生产各类 纳米氧化锌，纳米氧化铝，纳米氧化硅，纳米氧化铈，纳米氧化钛，纳米氧化锆，纳米分散液等。可以根据企业不同要求，合作开发新材料。联系电话13235718865 沈经理。